Новая энергонезависимая память работает так же быстро, как ОЗУ, и может хранить данные более 1000 лет

Quinas Technology, стартап, работающий над внедрением технологии UltraRAM в массовое производство в один прекрасный день и продемонстрировавший первые чипы в прошлом году, на этой неделе получил финансирование в размере 1,1 миллиона фунтов стерлингов (1,43 миллиона долларов) от Innovate UK для ускорения перехода технологии из лаборатории на фабрику

Память UltraRAM, разработанная профессором физики из Ланкастера Манусом Хейном около четырех или пяти лет назад, представляет собой энергонезависимый тип памяти, который отличается производительностью, долговечностью и энергоэффективностью DRAM. UltraRAM сохраняет данные даже после отключения питания, и разработчик утверждает, что ее ресурс по крайней мере в 4000 раз больше, чем у NAND, и она может хранить данные более 1000 лет.

По информации Tom’s Hardware, чтобы обеспечить свои уникальные свойства, UltraRAM использует квантово-резонансное туннелирование, используемое в фотонных устройствах, таких как светодиоды, лазерные диоды и инфракрасные детекторы, но не в электронных устройствах массового производства. С точки зрения полупроводниковых устройств, UltraRAM — это составное устройство, состоящее из слоев GaSb, InAs и AlSb, нанесенных друг на друга с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE), который никогда не использовался для производства памяти (по крайней мере, за пределами научных кругов).

Основная цель этого годичного проекта — увеличить размеры пластин UltraRAM с 75 мм, производимых в Lancaster, до 150 мм в IQE, британской полупроводниковой компании, владеющей Quinas. Это будет достигнуто с помощью металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD), а не молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE), обычно используемой в академических учреждениях. В отчете говорится, что IQE направит большую часть финансирования проекта на внедрение составных полупроводниковых слоев, разработанных в Университете Ланкастера, в масштабируемый промышленный процесс на своем предприятии в Кардиффе.

Значительная часть этой разработки связана с расширением возможностей IQE по производству составных полупроводников GaSb и AlSb. Университет Ланкастера проведет первоначальную эпитаксию MBE, чтобы установить ориентир для промышленного роста, а затем IQE будет производить эти полупроводники в более крупных масштабах. Компания Lancaster оценит качество и характеристики производимого материала.

Одновременно Университет Ланкастера будет работать над уменьшением размера отдельных устройств UltraRAM и созданием массивов большего размера. Цель этого процесса — в конечном итоге продемонстрировать возможность изготовления UltraRAM на цельной 200-мм пластине, чего недостаточно для коммерческой конкуренции с 3D NAND и DRAM, но его можно использовать в качестве доказательства концепции.

«По оценкам, мировой рынок микросхем памяти будет стоить около 320 миллиардов долларов к 2030 году, но Великобритания в настоящее время не имеет в нем доли», — сказал Джеймс Эшфорт-Пук, генеральный директор и соучредитель Quinas. «Будущие вычисления будут предъявлять постоянно растущие требования к возможностям памяти, обусловленные новыми приложениями, такими как новый искусственный интеллект и квантовые вычисления, а также развитием более традиционных рынков, таких как оборонный и аэрокосмический. Уникальное сочетание энергонезависимого хранилища UltraRAM и оперативной памяти с быстрым доступом удовлетворяет многие из этих потребностей, предлагая потенциал для огромной экономии энергии и сокращения выбросов углерода «.

https://russianelectronics.ru/novaya-energonezavisimaya-pamyat_18_07_2024/